颀邦科技股份有限公司
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颀邦科技股份有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 薄型散热覆晶封装构造 2011.03.01
2 CN105992456A 可挠性基板 2016.10.05 本发明是关于一种可挠性基板,其具有电路板、可挠性散热结构及黏着胶,该电路板具有基板及电路层,该电路层
3 TW495938 晶圆级半导体封装结构与制程 2002.07.21 本发明提供一种晶圆级半导体封装结构与其制程。其特征在于藉由于重布层(re-distribution
4 CN103531562B 半导体封装结构及其导线架 2016.07.06 本发明是有关于一种半导体封装结构及其导线架,该半导体封装结构包含一导线架、一芯片以及一封胶体,该导线
5 CN103579149B 半导体结构及其制造工艺 2016.08.03 本发明是有关于一种半导体结构及其制造工艺,该制造工艺包含提供载体;形成第一光刻胶层;形成多个芯部;移
6 TW484183 消除晶圆上金属凸块之高度差异的方法 2002.04.21 本发明提供一种方法,以利用研磨的方式,一次消除整片晶圆上所有金属凸块间的高度差异,使所有金属凸块皆具
7 TW498510 金属面晶圆级半导体封装结构 2002.08.11 本发明系关于一种以金属面做为半导体元件保护层之晶圆级半导体封装结构,尤其关于一种以钛、镍、或铬及其合
8 TW200412629 消除晶圆及晶粒上金属凸块之高度差异的方法 2004.07.16 利用加压的方式或者结合研磨的方法,可一次消除整片晶圆及晶粒上所有金属凸块间的高度差异,使所有金属凸块
9 TW583729 消除晶圆及晶粒上金属凸块之高度差异的方法 2004.04.11 利用加压的方式或者结合研磨的方法,可一次消除整片晶圆及晶粒上所有金属凸块间的高度差异,使所有金属凸块
10 CN205789928U 散热封装构造 2016.12.07 本实用新型公开一种散热封装构造,其包含基板、芯片及散热片,该芯片设置于该基板,该散热片具有包覆部、第
11 CN103531491B 半导体工艺、半导体结构及其封装构造 2017.04.12 本发明是有关于一种半导体工艺、半导体结构及其封装构造,该半导体工艺包含提供一个载体,该载体具有金属层
12 CN103871912B 半导体工艺及其结构 2017.04.12 本发明是有关于一种半导体工艺,其包含下列步骤:提供硅基板,该硅基板具有导接垫及保护层;形成第一种子层
13 CN103547070B 具有立体电容的承载器结构 2017.03.01 本发明是有关于一种具有立体电容的承载器结构,其包含一个基板以及立体电容,该基板具有线路层,该线路层具
14 CN106449534A 具有中空腔室的半导体封装结构及其下基板及制造过程 2017.02.22 本发明是有关于一种具有中空腔室的半导体封装结构及其下基板及制造过程,该具有中空腔室的半导体封装结构包
15 CN106098568A 具有中空腔室的半导体封装制造过程 2016.11.09 本发明是有关于一种具有中空腔室的半导体封装制造过程,其包含提供下基板,该下基板具有底板、环墙及凹槽,
16 CN205680672U 微间距封装结构 2016.11.09 本实用新型是有关于一种微间距封装结构,其包含线路基板、芯片及散热片,该线路基板具有多个线路,所述线路
17 CN103367298B 半导体封装结构及其封装方法 2016.04.20 本发明是有关于一种半导体封装结构,其包含一第一基板、一第二基板及一封胶体,该第一基板具有多个第一凸块
18 TWM517908 具中空腔室之半导体封装结构及其下基板 2016.02.21 具中空腔室之半导体封装结构包含一下基板、一接合层及一上基板,该下基板具有一下底板及一下金属层,该下金
19 CN105321807A 光刻胶剥离方法 2016.02.10 一种光刻胶剥离方法,包含:提供半导体基板、浸泡步骤及剥离步骤,该半导体基板具有基板、焊垫、保护层、凸
20 CN105304621A 微间距图案的布线结构 2016.02.03 本发明是有关于一种微间距图案的布线结构,包含连接部、第一导线部及第二导线部,该第一导线部具有第一线段
21 CN103531529B 半导体工艺 2016.02.03 本发明是有关于一种半导体工艺,其包含提供一个基板,该基板具有金属层,该金属层包含有第一金属层及第二金
22 TW201604979 具有凸块结构的基板及其制造方法 2016.02.01 具有凸块的基板制造方法,在一半导体基板上形成至少一铜层后,藉由控制形成于该铜层上的一镍层厚度,以使该
23 TWI520288 半导体结构及其封装构造 2016.02.01 半导体结构,其包含一载体、复数个凸块下金属层、复数个含铜凸块以及至少一有机阻障层,该载体系具有一表面
24 CN105280508A 具有凸块结构的基板及其制造方法 2016.01.27 本发明是关于一种具有凸块结构的基板及其制造方法,该基板包括:半导体基板,具有本体、导接垫及保护层;凸
25 TW201603227 微间距图案之布线结构 2016.01.16 微间距图案之布线结构包含一连接部、一第一导线部及一第二导线部,该第一导线部具有一第一线段及一第二线段
26 TWI517189 具立体电容之承载器结构 2016.01.11 一种具立体电容之承载器结构,其包含一基板以及至少一立体电容,该基板系具有至少一线路层,该线路层系具有
27 CN105206599A 可挠式基板 2015.12.30 本发明是有关于一种可挠式基板,包含有基底层、金属层、防焊漆层以及辨识代码,该金属层设置于该基底层的第
28 矫正可挠性卷带翘曲之装置 2011.04.21
29 注胶管头改良结构及使用其之注胶管总成 2011.04.21
30 TWM410659 凸块结构 2011.09.01
31 TWI512917 在载板上导接件之侧面形成抗氧化金属层之制程 2015.12.11
32 CN204857703U 具有中空腔室的半导体封装结构及其下基板 2015.12.09 本实用新型是有关于一种具有中空腔室的半导体封装结构及其下基板,该具有中空腔室的半导体封装结构包含下基
33 CN102867758B 凸块制造工艺及其结构 2015.12.02 本发明有关一种凸块制造工艺及其结构。其中制造工艺包括:提供基板;形成含铜金属层于该基板,含铜金属层具
34 TWI511246 凸块制程及其结构 2015.12.01
35 料带传送轨道 2011.04.21
36 CN102593068B 斜锥状凸块结构 2015.08.19 本发明是有关于一种斜锥状凸块结构,其设置于一载体上,该载体具有多个焊垫及一保护层,该保护层具有多个开
37 TWI495065 半导体封装结构及其封装方法 2015.08.01
38 TWI493662 半导体结构 2015.07.21
39 CN103165481B 凸块制造工艺及其结构 2015.07.15 本发明有关一种凸块制造工艺及其结构。其中的凸块制造工艺其包含提供一硅基板,该硅基板具有多个焊垫;形成
40 CN102983121B 具有金属芯部的立体电感承载器制作方法及其结构 2015.07.08 本发明是有关于一种具有金属芯部的立体电感承载器制作方法及其结构,该方法,包含下列步骤:提供基板;形成
41 CN204408746U 可挠性基板 2015.06.17 本实用新型是关于一种可挠性基板,其具有电路板、可挠性散热结构及黏着胶,该电路板具有基板及电路层,该电
42 CN103165482B 凸块工艺 2015.06.17 本发明是有关于一种凸块工艺,其包含提供一硅基板;形成一含钛金属层在该硅基板,且该含钛金属层是具有多个
43 TWI488244 具有凸块结构的基板及其制造方法 2015.06.11
44 TWI488273 半导体制程及其半导体结构 2015.06.11
45 TWI485790 微细间距凸块制造方法及其结构 2015.05.21
46 TWM501711 可挠性基板 2015.05.21
47 CN104518005A 半导体结构 2015.04.15 本发明是关于一种半导体结构,其包含载体、第一保护层、第二保护层及第三保护层,该第一保护层设置于该载体
48 CN102791075B 具有立体电感的承载器制作方法及其结构 2015.03.25 本发明是一种具有立体电感的承载器制作方法及其结构。该具立体电感的承载器制作方法包括:提供一基板;形成
49 CN102800599B 凸块工艺及其结构 2015.03.25 本发明是有关于一种凸块工艺,其包含一基板;形成一含铜金属层;形成一光阻层;图案化该光阻层以形成多个开
50 CN102593017B 在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺 2015.03.25 一种在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其包含一载体,其具有多个焊垫及保护层;形成导接金
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